Opis proizvoda
TMAH može značajno povećati zeta potencijalsilicijum karbidapraha i smanjuju viskozitet suspenzije, čime se značajno optimizuju reološka svojstva suspenzije. Na pH oko 10, zeta potencijal se povećao za 11,7 mV i 21 mV, respektivno, nakon dodavanja 0,3% i 0,6% TMAH. Prekomjerni disperzant će povećati koncentraciju jona u muljnoj smjesi i dovesti do smanjenja debljine dvostrukog električnog sloja, čime se pogoršava reologija suspenzije.
Parametri proizvoda
| Model | Komponenta % | |||
| 60# | SiC | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 70# | 65min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 75# | 70min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 80# | 75min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 85# | 80min | 3-6 | 3.5max | |
| 90# | 85min | 2.5max | 3.5max | |
| 95# | 90min | 1.0max | 1.2max | |
| 97# | 95min | 0.6max | 1.2max | |
Slika saradnje proizvoda
1.Metoda za pripremu tankih filmova modificiranih silicijumom na reaktivno sinterovanimsilicijum karbida(RB-SiC) materijale korištenjem ionskog izvora Hallovog tipa za potpomaganje isparavanja snopa elektrona, te je proučavan učinak poliranja modificiranih filmova pri različitim brzinama taloženja. Na uzorcima su izvršena mjerenja površinskog raspršenja i refleksije. Mikrogrami uzoraka pokazuju da struktura sloja silikonskog filma ima tendenciju da bude labava pod uslovom povećanja brzine taloženja. Nakon finog poliranja reaktivnog sinterovanja uzoraka silicijum karbida obloženih silicijum-modifikovanim filmovima, koeficijent površinskog raspršenja opada na 1,46%, a reflektivnost je bliska onoj kod dobro polirane staklokeramike. Ispitivanje temperaturnog šoka i ispitivanje površinskog zatezanja pokazuju da silicijumski film nema pucanja i otpada, stabilan je po prirodi i ima dobru kombinaciju sa podlogom od silicijum karbida.
Popularni tagovi: proizvod visokog nivoa silicijum karbida, Kina proizvod visokog nivoa silicijum karbida proizvođači, dobavljači, fabrika